多晶硅通常通过600-650时热分解硅烷制的,在MOS器件中可用作栅极材料,在多层布线中可作为导电材料,也可作为浅结器件的接触材料。
二氧化硅介质材料通常用作导电层绝缘、扩散和离子植入时的淹膜、掺杂氧化物的扩散、对杂质进行吸杂及保护元器件。
氮化硅能阻挡钠离子的扩散,几乎不透气及具有很低的氧化速率,主要作为氧化掩膜及栅极介质。
CVD Film | Raw Material |
SiO2 | SiH4+CO2+H2 |
SiCl2H2+N2O | |
SiH4+H2O | |
SiH4+NO | |
Si(OC2H5)4 | |
SiH4+O2 | |
SiH4+NO2 | |
Si3N4 | SiH4+NH3 |
SiCl2H2+NH3 | |
SiH4+N2 | |
Si | SiH4 |